其實三星貼片電容的結構和材料特性都差不多，區別在于電容值和功率。接下來世祥集團小編來您你講解三星貼片電容的結構和材料特性。

(1)三星貼片電容的結構:從下圖可以看出，三星貼片電容主要由陶瓷介質、內電極、端電極sn焊接層、端電極ni勢壘層和端電極底層組成。

三星貼片電容結構

(2)三星貼片電容材料特性:

I類介質電容器(NP0溫度補償型):

COG電氣性能參數穩定，隨溫度、電壓、時間的變化率很小，適合在諧振電路等穩定性要求高的高頻電路中使用。采用特殊的結構設計可以獲得較低的ESR。其高“Q”產品的Q值可達1000以上。

C0G—使用溫度范圍在-55~+125℃，容量變化范圍為0±30ppm/℃。

1類瓷的EIA標志代碼(-55℃～125℃)。

Ⅱ類介質電容器：

X7R(X5R)X7R是一種高K值的介質，可以生產大容量的電容器，適用于隔直,耦合,旁路的電路中(X5R:-55，85，C%±15%)。

Y5V:電氣性能參數穩定性差，但可以生產更高容量的電容器。適用于去耦電路和濾波電路。

2類瓷的EIA標志代碼

三星貼片電容

今天的分享就到這里了，希望能讓您對三星貼片電容的結構與材料特性更加了解